4月8日，推出8寸硅基薄膜铌酸锂、微机电系统领域两款光子芯片工艺设计包；4月9日，推出硅基薄膜钽酸锂光子芯片工艺包，为国内首个；4月10日，发布石英基薄膜铌酸锂、硅光领域两款光子芯片工艺设计包，其中石英基薄膜铌酸锂工艺包为国内首个。

近日，南京南智先进光电集成技术研究院（下称“南智光电”）研发团队迎来“大丰收”。研发工程师们兴奋不已，但工作节奏丝毫未变。“客户试用后，反馈效果不错。我们要趁热打铁，根据个性化需求再进一步优化产品。”资深工程师叶志霖说。

南智光电2018年创建于南京江北新区，是江苏省光电技术创新中心建设单位，也是南京市首批中试平台，其主要业务是为光电领域提供技术研发和成果转化服务。去年6月，南智光电发布晶圆级薄膜铌酸锂光子芯片工艺设计包，成为国内首家实现该技术标准化落地的机构。同年12月，南智光电建成并投用国内首条铌酸锂光子芯片产线，实现8寸薄膜铌酸锂晶圆稳定流片，全年光子芯片流片及产品开发收入突破1亿元。

工艺设计包是芯片设计和制造之间的桥梁，是芯片制造过程中标准设计规则和参数的集合，可以确保设计和制造的一致性，降低芯片制造风险。南智光电技术研发总监严仲介绍，5款新工艺设计包在芯片设计接口、工艺流程标准化等方面取得大幅提升，有效降低芯片设计团队的研发难度和不确定性，加速技术成果转化。

这5款产品研发周期最长的达两年，最短的也有7个月。公司研发团队40余人分成三组，不分昼夜攻克难关，95后成为骨干力量。叶志霖刚刚收到客户反馈，一家企业利用内部测试版的工艺设计包设计芯片，正在进行第三轮验证，马上就会进行芯片小批量生产，让他和团队成就感十足。

眼下，南智光电新规划的2万平方米光子芯片产线项目已开工建设，有望今年年底建成投用。这条全新的产线能够满足光子芯片高标准制造需求，将有更多高水平光子芯片从这里产出。

□ 本报记者 许雯斐